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产品名称：
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金及金基合金溅射靶材
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牌号规格：
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Au01、Au1、AuGe12、AuGeNi11.5-5、AuGeNi12-4
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用途备注：
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金、金锗、金锗镍等溅射靶材通过磁控溅射工艺沉积在半导体芯片如GaAs、GaP、GaN等表面，形成欧姆接触膜、电极和连线膜。可形成多种金属化膜系统。
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产 品 详 情
高纯金及合金是制造半导体芯片的关键基础材料。使用金靶材将金膜沉积在半导体芯片表面，形成欧姆接触膜、电极和连线膜，可形成多种金属化膜系统。该金属氧化膜系统可大量应用于制造发光二极管（LED）， 军用和民用微波通信器件，航天、航空等重要领域用半导体化合物以及芯片太阳能电池等领域。
化学成分
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序号
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合金牌号
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主成分
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Au
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Ge
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Ni
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Ga
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Be
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1
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Au1
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≥99.99
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2
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Au01
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≥99.999
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——
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——
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——
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——
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3
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Au88Ge
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88±0.5
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余量
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——
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——
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——
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4
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Au83.5GeNi
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83.5±0.5
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余量
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5±0.4
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备注：可按客户要求提供其它成分的产品。
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外形尺寸(mm)
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合金牌号
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形状
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规格
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允许偏差
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厚度
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允许偏差
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Au1、Au01
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圆形
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100-250
|
±0.1
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3～6
|
±0.2
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方形
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127×381
|
±1
|
3～6
|
±0.2
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AuGe12、Au83.5GeNi、
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圆形
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100-250
|
±0.3
|
6
|
±0.5
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方形
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127×381
|
±1
|
6
|
±0.5
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备注：可供其它规格和允许偏差的产品。
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